Вранзистор GB10NB37LZ: характСристики ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

Π’ ΠΌΠΈΡ€Π΅ соврСмСнной силовой элСктроники, особСнно Π² сСгмСнтС ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… сварочных Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ систСм заТигания, ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, способныС Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΡΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Одной ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… лошадок являСтся ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ IGBT-транзистор ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ GB10NB37LZ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ часто становится ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ внимания Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° трСбуСтся восстановлСниС работоспособности Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠ΅ΠΉ ΠΈΠ· строя Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ. ПониманиС Π΅Π³ΠΎ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ структуры ΠΈ элСктричСских свойств β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ шаг ΠΊ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Ρƒ.

Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ прСдставляСт собой слоТноС устройство, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ прСимущСства биполярных ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π•Π³ΠΎ основноС Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€” коммутация Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ высоком напряТСнии с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ потСрями энСргии. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, GB10NB37LZ обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для схСм с ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ модуляциСй (ШИМ). ИмСнно Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Π² основС соврСмСнных ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ напряТСния.

ΠŸΡ€ΠΈ поискС ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ элСмСнтС Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ сразу ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π½Π΅ просто рядовой радиоэлСмСнт, Π° спСциализированный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ с ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ насыщСния. Π•Π³ΠΎ часто ΠΏΡƒΡ‚Π°ΡŽΡ‚ с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнными Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈΠ· строя. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ этого транзистора Ρ‚Π°ΠΊ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π½Π° корпусС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ символы Π² зависимости ΠΎΡ‚ производитСля ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΈ. ВсСгда провСряйтС datasheet ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сходство корпусов Π½Π΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктричСских характСристик.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики GB10NB37LZ

Π Π°Π·Π±ΠΎΡ€ тСхничСских спСцификаций Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ с понимания ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² эксплуатации. Вранзистор GB10NB37LZ спроСктирован для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ТСстких условиях, Π³Π΄Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ скачки напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ здСсь выступаСт максимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ составляСт 3700 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π½ΡƒΡˆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Π΅Π³ΠΎ срСди ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 25Β°C достигаСт 10 АмпСр. Однако ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ кристалла Π΄ΠΎ 100Β°C этот ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сниТаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся стандартным ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ: Π±Π΅Π· эффСктивного ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ быстро Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚. Для GB10NB37LZ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π° высокая ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС насыщСния.

ОсобоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ слСдуСт ΡƒΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ динамичСским характСристикам. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания напряТСния ΠΈ врСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚, насколько эффСктивно транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° высоких частотах. Π’ сварочных ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… это Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΡƒΠ³ΠΈ. НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° с основными элСктричСскими ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ диагностикС.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹
НапряТСниС К-Π­ Vces 3700 Π’
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Π½ΠΎΠΌ) Ic 10 А
ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания Ptot 100 Π’Ρ‚
НапряТСниС насыщСния Vce(sat) 3.8 Π’
Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла Tj 150 Β°C

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Π£ΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² datasheet значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ идСальном ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условиях эксплуатации Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ корпуса сварочного Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° эффСктивный Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ номинального Π½Π° 20-30%.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ особСнности ΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

ЀизичСскоС исполнСниС GB10NB37LZ соотвСтствуСт стандартному корпусу TO-247 ΠΈΠ»ΠΈ Π΅Π³ΠΎ вариациям, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π½Π° стандартныС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ с использованиСм ΡΠ»ΡŽΠ΄ΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΊ. Вакая конструкция обСспСчиваСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄, Π½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΡƒ. Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора классичСская для IGBT ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ: ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π½Π° Π»ΠΈΡ†Π΅Π²ΡƒΡŽ сторону с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²Π½ΠΈΠ·, слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ располоТСны Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Gate), ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Collector) ΠΈ Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ (Emitter).

Однако Π½Π΅ стоит слСпо Π΄ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ стандартной распиновкС. НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², особСнно Π² OEM-вСрсиях для ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚Π΅Β» ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ΡΡŒ с ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмой ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства. Ошибка Π² ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ ΠΈΠ· строя.

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ транзистора часто ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Ρ‹Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ сторону, которая элСктричСски соСдинСна с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΡƒ. ΠŸΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этим ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ Π½Π° корпус устройства ΠΈ ΡΠ³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ всСй силовой части схСмы.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

Π“Π΄Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ встрСчаСтся GB10NB37LZ? Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго этот ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π² силовых Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… сварочных Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ² срСднСй ΠΈ высокой мощности. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π΅ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΌΠΈ, формируя высокочастотноС напряТСниС для трансформатора. ВысокоС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС Π² 3700Π’ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ Π² схСмах, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Ρ„Π°Π·Π½ΠΎΠΉ сСти ΠΈΠ»ΠΈ выпрямлСнного сСтСвого напряТСния с большим запасом.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ сварки, этот транзистор Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² систСмах элСктронного заТигания (Π­Π—) для Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сгорания, старых модСлях Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ спСцтСхники. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ½ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π·Π° Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ заТигания. ΠΠ°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ IGBT-структуры позволяСт Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ сфСра примСнСния ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚:

  • ⚑ ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ источники бСспСрСбойного питания (Π˜Π‘ΠŸ).
  • ⚑ ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ частоты для элСктродвигатСлСй.
  • ⚑ Установки ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°.
  • ⚑ Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ источники питания высокой мощности.

Π’ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ· этих устройств транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, постоянно пСрСходя ΠΈΠ· состояния ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎ Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎ. ИмСнно Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ наибольшиС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ, поэтому качСство ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° ΠΈ условия Π΅Π³ΠΎ эксплуатации Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° срок слуТбы всСго ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°.

πŸ“Š Π“Π΄Π΅ Π²Ρ‹ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго встрСчали транзистор GB10NB37LZ?
Π’ сварочных ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…
Π’ систСмах заТигания Π°Π²Ρ‚ΠΎ
Π’ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… частотниках
Π’ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах

Аналоги ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° транзистора

ΠŸΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π° для GB10NB37LZ β€” Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° нСпростая, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΡΠΌΡ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ напряТСниСм 3700Π’ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ 10А Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ. Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ с Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ характСристиками, Π½ΠΎ здСсь кроСтся риск. Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π½Π° транзистор с мСньшим напряТСниСм (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 1200Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 1700Π’) допустима Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… цСпях, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΈ поискС Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° напряТСниС пробоя Vces. Оно Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния. Если ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор Π½Π° 1200Π’ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, Π³Π΄Π΅ стоит 3700Π’, ΠΎΠ½ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ сгорит ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΆΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ΅Π½, Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ охлаТдСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ (хотя послСднСС Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ слоТной настройки).

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠΎ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Ρƒ):

  • πŸ” GT10M101 β€” Toshiba (Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Π½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠΈ).
  • πŸ” IXGH10N100 β€” IXYS (сСрия Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… транзисторов).
  • πŸ” FGA15N120 β€” Fairchild (Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ссли напряТСниС Π² схСмС Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 1200Π’!).

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… 100% Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² с напряТСниСм 3700Π’ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² свободной ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ составныС схСмы ΠΈΠ»ΠΈ пСрСсчСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π½ΠΎ это ΡƒΠ΄Π΅Π» ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ². НС ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ транзисторы Π½Π° 600-800Π’ вмСсто 3700Π’!

Часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ вопрос: ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π»ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ IGBT Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ биполярный транзистор ΠΈΠ»ΠΈ MOSFET? ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚ β€” катСгоричСски Π½Π΅Ρ‚. Π£ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² разная структура управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° управлСния (Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€) просто Π½Π΅ смоТСт ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ MOSFET ΠΈΠ»ΠΈ биполярник, рассчитанный Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ с IGBT, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя всСй ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ слоТно Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ прямой Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³?

Вранзисторы с Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ напряТСниСм Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 3000Π’ относятся ΠΊ спСциализированной Π½ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΊΠ»Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. Они производятся мСньшими партиями для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, поэтому ΠΈΡ… ассортимСнт Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с массовыми 600-1200Π’ модСлями.

Диагностика ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π²ΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ старый Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСисправСн, ΠΈ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· строя. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠ°Β» ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² часто Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ для IGBT транзисторов ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΈΡ… слоТной Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ структуры. Для GB10NB37LZ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ встроСнного ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ измСрСния.

Базовая ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ сопротивлСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, сопротивлСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ бСсконСчно большим Π² ΠΎΠ±Π΅ стороны. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π² Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния (ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅) Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ. Если ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ (0 Ом) ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ β€” транзистор Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π².

Однако Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Ρƒ Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ напряТСниСм. Для этого ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΡƒΡŽ схСму с Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ свСтодиодом Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. Если транзистор открываСтся ΠΈ закрываСтся, удСрТивая заряд Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (ΠΊΠ°ΠΊ кондСнсатор), ΠΎΠ½, скорСС всСго, исправСн.

β˜‘οΈ Алгоритм поиска нСисправности

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ GB10NB37LZ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ управлСния (Π¨ΠΈΠΌ-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€), рСзисторы Π² цСпях Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π² обвязкС. Если Π½Π΅ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ скачок напряТСния Π² сСти), Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ транзистор сгорит Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· нСсколько сСкунд Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

ЧастыС ошибки ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π΅ ΠΈ совСты

Одной ΠΈΠ· самых распространСнных ошибок являСтся ΠΈΠ³Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ состояния тСрмопасты. МногиС мастСра просто ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€ΡƒΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ транзистор ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ Β«Π½Π° ΡΡƒΡ…ΡƒΡŽΒ» ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΡ…ΡˆΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Ρ€ΡƒΡŽ пасту. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ пробоя Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· нСсколько ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. GB10NB37LZ грССтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Π±Π΅Π· качСствСнного Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Π΅Π³ΠΎ рСсурс сокращаСтся Π² Ρ€Π°Π·Ρ‹.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ошибка β€” использованиС паяльника слишком большой мощности ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ структуру кристалла Π΅Ρ‰Π΅ Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. РСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ паяльник ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 40-60 Π’Ρ‚ с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ ΠΆΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΈ Π½Π΅ Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ дольшС 3-5 сСкунд.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎ статичСскоС элСктричСство. Π₯отя IGBT транзисторы Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ устойчивы ΠΊ статикС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ MOSFET, ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π΅ стоит. ОсобСнно уязвим Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€: ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ оксидного слоя Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° статичСским разрядом с ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄Ρ‹ мастСра β€” частая ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Β«ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠ³ΠΎΒ» ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ внСшнС выглядит Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΌ.

FAQ: Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы

МоТно Π»ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ GB10NB37LZ Π½Π° транзистор с мСньшим напряТСниСм, Ссли Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²?

НСт, это опасно. НапряТСниС пробоя (3700Π’) опрСдСляСтся Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π° напряТСниСм Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания. Π”Π°ΠΆΠ΅ Π½Π° холостом Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности сварки, выбросы напряТСния Π² ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ тысяч Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Вранзистор Π½Π° 1200Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 1700Π’ просто взорвСтся.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ транзистор грССтся Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ?

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π΅ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° управлСния (Π½Π΅ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅/Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅), Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ШИМ-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π² обвязкС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π“Π΄Π΅ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ (datasheet) Π½Π° эту Ρ€Π΅Π΄ΠΊΡƒΡŽ модСль?

ДокумСнтация Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ спСцифичСскиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ часто распространяСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΠ±ΡŒΡŽΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ элСктроники ΠΈΠ»ΠΈ находится Π² Π°Ρ€Ρ…ΠΈΠ²Π°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ сварочного оборудования. Π˜ΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ стоит ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ΄Ρƒ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅.

ВлияСт Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ² ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ IGBT?

Π”Π°, влияСт. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ встроСнного Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром) ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² прямом Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ (плюс Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, минус Π½Π° эмиттСр для N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…, Π½ΠΎ Π² IGBT структура слоТнСС). Π’ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π². ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ β€” всСгда ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π².