ΠŸΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов

Диагностика силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСмСнтов являСтся критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ этапом ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π΅ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания ΠΈ систСм управлСния Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ часто Π½Π΅ способСн Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ высоком напряТСнии ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ примСнСния спСциализированного оборудования. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов позволяСт Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ динамичСскиС характСристики, ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ открытия.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ устройства диагностики дСлятся Π½Π° ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ спСциализированныС тСстСры пробоя, часто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ «искатСлями Π΄Ρ‹Ρ€Β». ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ для ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° ΠΏΠ°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅, Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ β€” для быстрой ΠΎΡ‚Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΡΠ³ΠΎΡ€Π΅Π²ΡˆΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… условиях. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ подходящСго инструмСнта зависит ΠΎΡ‚ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π° ΠΈ частоты Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с силовой элСктроникой.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ рассмотрим Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ возмоТности Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² тСстСров, ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ бСзопасной ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° оборудования для мастСрской. ПониманиС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ошибок, способных привСсти ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя дорогостоящСго оборудования ΠΈΠ»ΠΈ самого измСритСля.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ диагностичСского оборудования

ВсС устройства для тСстирования силовых ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° нСсколько ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΉ Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ° дСйствия ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡. НаиболСС простыС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² с ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ цСлостности, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ слоТныС Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ строят Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики. Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ тСстСры Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ популярных китайских ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ способны автоматичСски ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора (NPN, PNP, N-MOS, P-MOS) ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ основныС статичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

ΠžΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ высоким напряТСниСм. Они ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ устройства Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ IGBT ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ MOSFET, Π³Π΄Π΅ обычная Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠ°Β» Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ ΠΈΠ·-Π·Π° остаточного заряда ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‰ΠΈΠ½ Π² кристаллС.

  • πŸ”Œ БтатичСскиС тСстСры β€” ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ коэффициСнт усилСния, напряТСниС открытия ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π² статичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.
  • ⚑ ДинамичСскиС Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ β€” ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ сигналов ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.
  • πŸ” Π”Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания β€” спСциализированныС устройства для поиска ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚Ρ‹Ρ… транзисторов Π² схСмах Π±Π΅Π· выпаивания.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ класса ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ диагностики. Для сСрвисных Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π΅ частотных ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ динамичСского Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° являСтся ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ для Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Ρ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ измСритСля.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ тСстСров пробоя

Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ для поиска ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· провСряСмый элСмСнт. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ позволяСт бСзопасно ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ элСмСнт, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ частично ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ схСмы. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² являСтся ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ сопротивлСния ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ для ΡΠ³ΠΎΡ€Π΅Π²ΡˆΠ΅Π³ΠΎ транзистора.

ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Ρƒ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов) ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·Ρƒ, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ измСряСтся сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Если транзистор исправСн, ΠΎΠ½ откроСтся, ΠΈ сопротивлСниС ΡƒΠΏΠ°Π΄Π΅Ρ‚, Π° послС снятия ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала (для MOSFET) β€” возрастСт. ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚Ρ‹ΠΉ элСмСнт останСтся Π² состоянии Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния нСзависимо ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… сигналов.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ использовании тСстСров пробоя Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°Ρ… с кондСнсаторами большой Смкости Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ питания. ΠžΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ заряд ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ элСктронику самого тСстСра ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΊΠ°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ показания.

Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ аспСктом являСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ частой ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Ρ‰ΡƒΠΏΡ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ использования качСствСнных ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм. НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π²ΠΈΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсации ΠΈΠ»ΠΈ ограничСния Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°.

πŸ“Š Какой Ρ‚ΠΈΠΏ транзисторов Π²Ρ‹ провСряСтС Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго?
MOSFET
IGBT
БиполярныС (BJT)
БоставныС (Darlington)

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° MOSFET ΠΈ IGBT ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ

Диагностика ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈ IGBT ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ особого ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ·-Π·Π° наличия ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ Смкости ΠΈ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΊ статичСскому элСктричСству. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ этих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ зарядку Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ напряТСния, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ отсСчки, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 10-15 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. НСдостаточноС напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π½Π΅ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΡŽ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ Π΄ΠΈΠ°Π³Π½ΠΎΠ·Ρƒ ΠΎ нСисправности.

Для IGBT ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½ΠΎ ΠΈ отсутствиС ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ напряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ($V_{ce(sat)}$), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ кристалла. Рост этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° со Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎ старСнии ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° Π΅Ρ‰Π΅ Π΄ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ модулями (600Π’ ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅) Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡΠΎΠ±ΡƒΡŽ ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π”Π°ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ заряд Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… кондСнсаторах, поэтому ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ² всСгда провСряйтС отсутствиС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ….

β˜‘οΈ ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ список ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ MOSFET

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 5

Ошибкой являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΈΠΊΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π₯отя Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ встроСнного Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° β€” это Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊ, Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ самого транзисторного ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Волько ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСмСнта.

Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ популярных ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ тСстСров

На Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ прСдставлСно мноТСство устройств, ΠΎΡ‚ простых самодСлок Π΄ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… комплСксов. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ зависит ΠΎΡ‚ Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π° ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ точности ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ. НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ сравнСниС характСристик Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… распространСнных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅.

МодСль / Π’ΠΈΠΏ ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ НапряТСниС тСста ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ
Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ LCR-T4 MOSFET, BJT, JFET Π”ΠΎ 5Π’ АвтоопрСдСлСниС, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Смкости
ВСстСр пробоя (ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉ) MOSFET, IGBT 12-24Π’ Поиск ΠšΠ—, звуковая индикация
Анализатор транзисторов ВсС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ВАΠ₯, ПК интСрфСйс
ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ с hFE BJT, Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ MOSFET 3-9Π’ Базовая ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° усилСния

Π‘ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ часто ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ позволяСт ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы с большим ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм. ΠŸΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°/стока ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅/Π±Π°Π·Π΅, имитируя Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π½Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ осциллограф ΠΏΡ€ΠΈ поискС динамичСских нСисправностСй, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π²ΠΎΠ½ Π½Π° Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ паразитная гСнСрация. Однако для 90% Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅ ΡΠ³ΠΎΡ€Π΅Π²ΡˆΠΈΡ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ достаточно качСствСнного спСциализированного тСстСра.

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° бСзопасной диагностики

Π‘Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с силовой элСктроникой стоит Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ мСстС. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ любого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ провСряСмая схСма обСсточСна ΠΈ разряТСна. ВысокоС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… кондСнсаторах ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 400-800 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ прСдставляСт ΡΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ слСдуСт Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ с Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ осмотра. Вздутия, почСрнСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π½Π° корпусС транзистора часто ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° катастрофичСский ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ дальнСйшиС измСрСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ бСссмыслСнны. Если Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π΅Ρ‚, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊ ΠΈΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ диагностикС.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Никогда Π½Π΅ ΠΏΡ‹Ρ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ транзисторы, находящиСся ΠΏΠΎΠ΄ напряТСниСм. Π­Ρ‚ΠΎ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡΠ³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ тСстСра ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π² провСряСмой схСмС.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΊ статикС. Π”Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½, рСкомСндуСтся ΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ сначала Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора. ИспользованиС антистатичСских браслСтов ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микроэлСктроникой являСтся Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠΉ.

Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ понимания Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ процСссов. НапримСр, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком Ρƒ MOSFET ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ. Однако высокоС сопротивлСниС Π½Π΅ всСгда Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ β€” транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΡƒ ΠΈΠ»ΠΈ высокий $R_{ds(on)}$.

Для биполярных транзисторов Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ являСтся коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ($h_{21}$ ΠΈΠ»ΠΈ $\beta$). Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ разброс этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Ρƒ ΠΏΠ°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторов Π² усилитСлях ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ пСрСкосу Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя всСй каскадной схСмы. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ значСния, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊ справочным Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Β«ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΒ» ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ?

Иногда транзистор Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя исправно ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…, Π½ΠΎ пробиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния. Π­Ρ‚ΠΎ явлСниС называСтся ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ΅ΠΌ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.

Если показания ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ значСния Β«ΠΏΠ»Ρ‹Π²ΡƒΡ‚Β», это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… связСй Π² схСмС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор находится Π² ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ состоянии. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях рСкомСндуСтся Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° для провСдСния Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² ΠΎΡ‚Ρ€Ρ‹Π²Π΅ ΠΎΡ‚ схСмы.

Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы (FAQ)

МоТно Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор Π±Π΅Π· выпаивания ΠΈΠ· схСмы?

Частично Π΄Π°. ВСстСры пробоя часто ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π±Π΅Π· выпаивания, Ссли ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ большСС сопротивлСниС. Однако для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ измСрСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ, усилСниС, Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ) транзистор Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ схСма Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ измСряСмыС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Π° тСстСр Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉΒ»?

ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 1-2 мА), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…. Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ тСстСр ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ вскрываСт ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ частичныС Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ кристалла, Π½Π΅Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ для ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

Как часто Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ?

ΠŸΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ пСриодичСской ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ (Ρ€Π°Π· Π² 1-2 Π³ΠΎΠ΄Π°) Π² зависимости ΠΎΡ‚ интСнсивности использования. Для Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ достаточно пСриодичСски ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ показания с Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‰ΡƒΠΏΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ тСст Π½Π° извСстном исправном ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π΅.

БСзопасно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ тСстСры для Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΡ… IGBT ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ?

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ссли Π²Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. НСкачСствСнно собранный тСстСр ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС (Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ +/-20Π’), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ дорогостоящий ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ ΠΈΠ· строя. Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹.