ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΊ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ: схСмы, Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π°

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ слаботочной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ β€” это Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° Π² соврСмСнной элСктроникС ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Arduino ΠΈΠ»ΠΈ ESP8266, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ напряТСния 3.3Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 5Π’ ΠΈ способны Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ всСго Π² нСсколько дСсятков ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ Π½ΠΈΠΌ Π»Π°ΠΌΠΏ, Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ ΠΈΠ· строя. ИмСнно здСсь Π½Π° сцСну выходят Ρ€Π΅Π»Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ бСзопасно ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ высокиС напряТСния.

Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π½Π΅ просто "ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°", Π° физичСскиС процСссы, происходящиС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΈ критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π½ΡŽΠ°Π½ΡΡ‹, ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… часто ΠΌΠΎΠ»Ρ‡Π°Ρ‚ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΡƒΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ…. Π’Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ индуктивная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° опасна для Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ отличаСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для 5Π’ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ 3.3Π’ систСм. ПониманиС этих процСссов спасСт ваши ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ сбоСв ΠΈ сгорания ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ ΠΈ сборкС схСм, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρƒ взаимодСйствия ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройств. Π“Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ развязка часто становится ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ надСТности всСй систСмы, особСнно Π² условиях ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ погрузимся Π² Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ схСмотСхники.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ физичСскиС ограничСния

Π Π΅Π»Π΅ β€” это элСктромСханичСский Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² осущСствляСтся элСктромагнитом. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ, создаСтся ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅, ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡΠΊΠΎΡ€ΡŒ ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹. Однако для создания достаточного ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ трСбуСтся Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ возмоТности GPIO-ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π°Ρ‚ΡŒ максимум 20-40 мА, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ трСбуСтся ΠΎΡ‚ 30 Π΄ΠΎ 100 мА.

Если ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ просто Π½Π΅ сработаСт, Π° сам Ρ‡ΠΈΠΏ пСрСгрССтся. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠΌ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго выступаСт биполярный транзистор (BJT) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор (MOSFET). ИмСнно транзистор Π±Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ Π½Π° сСбя ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, получая слабый сигнал ΠΎΡ‚ процСссора.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Никогда Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ напряТСниСм 5Π’ ΠΊ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρƒ 3.3Π’ Π±Π΅Π· ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ. Π”Π°ΠΆΠ΅ Ссли Ρ€Π΅Π»Π΅ Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ½Π΅Ρ‚, напряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ насыщСния транзистора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ аспСктом являСтся ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π­Π”Π‘ самоиндукции, ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ всплСск напряТСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ сотСн Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ транзистора, проникая ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π² Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ схСмы. Для гашСния этого выброса ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ всСгда ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²: транзисторы ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹

Π‘Π΅Ρ€Π΄Ρ†Π΅ΠΌ схСмы управлСния являСтся транзистор. Для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ подходят NPN-транзисторы ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ 2N2222, BC547 ΠΈΠ»ΠΈ S8050. Π˜Ρ… главная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° β€” Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅: Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ. Π’ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ вся энСргия шла Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ элСмСнт β€” Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΈΡ… ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ восстановлСния. НСобходимы Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 1N5819) ΠΈΠ»ΠΈ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 1N4148, 1N4007). Они Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ питания), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

  • πŸ”Œ Вранзистор 2N2222 β€” классичСский Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π»Π΅ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 50-70 мА.
  • ⚑ Π”ΠΈΠΎΠ΄ 1N4148 β€” Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, идСально подходящий для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ выбросов напряТСния.
  • πŸ›‘οΈ РСзистор 10 кОм β€” ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ срабатываниС ΠΏΡ€ΠΈ стартС ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.
  • πŸ”‹ РСзистор Π±Π°Π·Ρ‹ β€” ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, рассчитываСтся исходя ΠΈΠ· коэффициСнта усилСния транзистора.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΈΡ… Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса. Для ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° ESP32 ΠΈΠ»ΠΈ STM32 часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ SMD-ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ для прототипирования Π½Π° ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты. НС Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ нСсколькими Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ с большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ потрСблСния.

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ MOSFET вмСсто биполярного транзистора?

Π”Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы (MOSFET) ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ мСньшСС сопротивлСниС Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСниС. Однако для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ (3.3Π’) Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ MOSFET с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм (Logic Level), ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

РасчСт Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΈ схСмотСхника

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ расчСт рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора β€” Π·Π°Π»ΠΎΠ³ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Если сопротивлСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ слишком большим, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ окаТСтся нСдостаточным для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ открытия транзистора, ΠΈ ΠΎΠ½ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡΡ. Если слишком малСньким β€” Π²Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° расчСта проста: R = (V_mcu - V_be) / I_b, Π³Π΄Π΅ V_mcu β€” напряТСниС Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, V_be β€” ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0.7Π’), Π° I_b β€” Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹.

Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² 5-10 Ρ€Π°Π· мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅), учитывая коэффициСнт усилСния hFE. Для стандартного Ρ€Π΅Π»Π΅ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ 50 мА ΠΈ транзистора с усилСниСм 100, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0.5-1 мА. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ 5Π’ ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ 0.7Π’ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, сопротивлСниС составит ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 4.3 кОм. Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 4.7 кОм ΠΈΠ»ΠΈ 3.3 кОм ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ идСально.

НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° с Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Ρ€Π΅Π»Π΅:

НапряТСниС Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ R Π±Π°Π·Ρ‹ Π’ΠΈΠΏ транзистора
5.0 Π’ 40 мА 4.7 кОм 2N2222 / BC547
3.3 Π’ 40 мА 2.2 кОм 2N2222 / BC547
5.0 Π’ 70 мА 2.2 кОм S8050 / 2N3904
3.3 Π’ 70 мА 1.0 кОм S8050 / 2N3904

НС стоит ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 10-100 кОм). Π’ΠΎ врСмя Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ²ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ сброса ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ‹ Π² состояниС высокого импСданса ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ. Π‘Π΅Π· подтяТки ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ случайно ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ дСрнСтся. Π­Ρ‚ΠΎ особСнно ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π² систСмах управлСния освСщСниСм ΠΈΠ»ΠΈ насосами.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠΉ развязкой

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ диодная Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° Π½Π΅ спасаСт Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ. ΠžΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π° (ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠ½) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ сигнал свСтом, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ разрывая ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ цСпями. Π­Ρ‚ΠΎ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ скачок напряТСния Π² сСти 220Π’ Π½Π΅ добСрСтся Π΄ΠΎ вашСго Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ³ΠΎ ESP32.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с оптоизоляциСй Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоТнСС. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° подаСтся Π½Π° свСтодиод Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор. Ѐототранзистор ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, управляСт Π±Π°Π·ΠΎΠΉ силового транзистора ΠΈΠ»ΠΈ сразу ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π»Π΅.

  • πŸ”’ Полная изоляция β€” зСмля ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈ зСмля Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ связаны.
  • πŸ“‰ ПодавлСниС ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² β€” высокочастотныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ ΠΈΠ· сСти Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π² Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ.
  • πŸ”Œ Π Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ β€” ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ 24Π’ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ 3.3Π’ Π±Π΅Π· ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ.

ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ Ρ€Π΅Π»Π΅ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для Arduino) оптоизоляция часто ΡƒΠΆΠ΅ встроСна. На ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ модуля Π²Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρƒ (Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ корпус с 4 ΠΈΠ»ΠΈ 6 Π½ΠΎΠΆΠΊΠ°ΠΌΠΈ) ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ транзистором. Однако, Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ "псСвдо-развязку", Π³Π΄Π΅ Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½Π° Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ логичСская Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ, Π° силовая зСмля всС ΠΆΠ΅ связана. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠΉΡ‚Π΅ схСмотСхнику ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ.

πŸ“Š Какой Ρ‚ΠΈΠΏ управлСния Ρ€Π΅Π»Π΅ Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго?
ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор
Π“ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ с оптоизоляциСй
ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ (ULN2003)
Π’Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ (SSR)

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ питания ΠΈ источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Одна ΠΈΠ· самых частых ошибок β€” ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ источника, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€, особСнно Ссли это USB-ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°. ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° Ρ€Π΅Π»Π΅ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ потрСбляСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, вызывая просадку напряТСния. Если Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ Arduino ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΎΡ‚ USB, Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠ° напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΡƒΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ.

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ β€” ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник питания для силовой части ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ питания с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Если Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π±Π»ΠΎΠΊ питания (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 5Π’ 2А) ΠΈ для Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ, ΠΈ для Ρ€Π΅Π»Π΅, ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ мощности Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° сумму Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² всСх ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ плюс запас Π² 30%. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° питания Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно толстыми, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ использовании ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания для Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°, ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинитС ΠΈΡ… Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ (GND) ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π‘Π΅Π· этого Ρ†Π΅ΠΏΡŒ управлСния Π½Π΅ замкнСтся, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π½Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚.

Для систСм с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ β€” энСргоСмкиС ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ. ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ 50-100 мА постоянно, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ. Для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… устройств Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ (SSR) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ MOSFET-ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (для SSR с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ) ΠΈΠ»ΠΈ практичСски Π½Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Π² статикС.

β˜‘οΈ ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° систСмы питания

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Π°Ρ рСализация ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€Π΅Π±Π΅Π·Π³Π°

Π₯отя Ρ€Π΅Π»Π΅ β€” устройство ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅, программная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π°. ΠŸΡ€ΠΈ написании ΠΊΠΎΠ΄Π° для Arduino ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ врСмя срабатывания. ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠΊΠ΅ трСбуСтся нСсколько миллисСкунд (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 5-10 мс) для замыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Если ваш Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΡƒΡŽ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ ΠΎΡ‚ "Π΄Ρ€Π΅Π±Π΅Π·Π³Π°" ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала, Ссли Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для частых ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. ЧастыС Ρ†ΠΈΠΊΠ»Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ-Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ мСханичСский рСсурс ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π’ ΠΊΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈ состояния.

void switchRelay(int pin, bool state) {

// ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ состояния для избСТания Π»ΠΈΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ

if (digitalRead(pin) == state) return;

digitalWrite(pin, state);

// НСбольшая Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° для стабилизации ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠΊΠΈ

delay(10);

}

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ аспСкт β€” состояниС ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ стартС. Как ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ…Π°ΠΎΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ состояниС. Π’ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ setup() Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ сразу ΠΆΠ΅ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΈΠ½Π΅ управлСния Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ configuring Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ OUTPUT, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ внСшниС рСзисторы подтяТки.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ошибки ΠΈ troubleshooting

Π”Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ с ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°ΠΌΠΈ. Если Ρ€Π΅Π»Π΅ Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ°Π΅Ρ‚, Π½ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° Π½Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, сгорСли ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈΠ·-Π·Π° искрСния ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Если Ρ€Π΅Π»Π΅ Π³ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΠΎΠΆΠΈΡ‚ β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ напряТСниС питания, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ для удСрТания якоря. Если ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ пСрСзагруТаСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° Π² просадкС питания ΠΈΠ»ΠΈ отсутствии Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹.

Частой ошибкой являСтся Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Если ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ создаст ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡΠ³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ прСдохранитСля ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя источника питания. ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° (полоска Π½Π° корпусС) всСгда ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π² сторону плюса питания ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ.

  • πŸ”₯ ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² транзистора β€” ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ (ΠΌΠ°Π» Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.
  • πŸ“‰ ΠŸΡ€ΠΎΡΠ°Π΄ΠΊΠ° напряТСния β€” Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° питания ΠΈΠ»ΠΈ слабый Π±Π»ΠΎΠΊ питания.
  • ⚑ Π‘Π±ΠΎΠΈ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ β€” отсутствиС Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, плохая зСмля ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.

ВсСгда провСряйтС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² послС Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ·ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ просто ΠΏΠ°Π»Π΅Ρ† (остороТно!) ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ транзистор. Если ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ горячиС, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΡŒΡ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ (ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ² рСзистор) ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ транзистор с большим ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ искрит?

Π˜ΡΠΊΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ размыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ, особСнно ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ. Для Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с этим Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (220Π’) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ RC-Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ (снаббСр), ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‰ΡƒΡŽ ΠΈΠ· рСзистора ΠΈ кондСнсатора, которая гасит Π΄ΡƒΠ³Ρƒ.

МоТно Π»ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ с GPIO Π±Π΅Π· транзистора?

ВСхничСски, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ Π³Π΅Ρ€ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ срабатывания (ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10 мА), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΎΡ‚ GPIO. Однако для стандартных Ρ€Π΅Π»Π΅ это Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈ опасно. Π’ΠΎΠΊ GPIO ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 20-40 мА суммарно Π½Π° ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ), ΠΈ прямоС ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π²Ρ‹Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. ВсСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ каскад.

Какой рСзистор Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ для Π±Π°Π·Ρ‹, Ссли я Π½Π΅ знаю Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ?

Если Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ нСизвСстны, Π½Π°Ρ‡Π½ΠΈΡ‚Π΅ с бСзопасного значСния 4.7 кОм для 5Π’ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ 2.2 кОм для 3.3Π’. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчит Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 мА, Ρ‡Ρ‚ΠΎ достаточно для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π»Π΅. Если Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π΅ срабатываСт Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚Π΅ сопротивлСниС Π΄ΠΎ 1 кОм, Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 220 Ом, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

НуТСн Π»ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Ссли я ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽ Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ (SSR)?

Π’Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ (SSR) Π½Π° основС симисторов ΠΈΠ»ΠΈ MOSFETΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ индуктивности Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния (Ρ‚Π°ΠΌ стоит свСтодиод ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹), поэтому Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния (3.3Π’/5Π’) Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½. Однако, Ссли SSR управляСт ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ (Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, трансформатор), снаббСр ΠΈΠ»ΠΈ варистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ самой Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (220Π’) для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² SSR.