ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° MOSFET ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ: ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ руководство

Диагностика элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² часто Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ точности ΠΈ понимания физичСских процСссов, происходящих Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². Когда Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ Π·Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎ силовых цСпях, Π±ΡƒΠ΄ΡŒ Ρ‚ΠΎ матСринская ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°, Π±Π»ΠΎΠΊ питания ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ уязвимым Π·Π²Π΅Π½ΠΎΠΌ часто становится MOSFET. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· строя ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ всСго устройства. МногиС Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ мастСра боятся ΡΠ²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, считая эту ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Ρƒ слишком слоТной ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ дорогостоящСго оборудования.

На самом Π΄Π΅Π»Π΅, Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ исправности ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ провСсти с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² арсСналС любого элСктрика. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ β€” ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ показания ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ дСйствий, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Π²Π°ΠΌ с высокой Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ вСроятности ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΆΠΈΠ² Π»ΠΈ N-channel ΠΈΠ»ΠΈ P-channel транзистор, ΠΈΠ»ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‰ΡƒΠΏΠ°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒ исправный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚.

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΊ измСрСниям, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ мСсто ΠΈ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² исправности самого ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ статичСского элСктричСства ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° β€” это Π·Π°Π»ΠΎΠ³ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠΉ диагностики. ΠœΡ‹ рассмотрим Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ стандартный ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½ΠΎ ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ способности транзистора ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ тСстом Π΅Π³ΠΎ работоспособности.

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ эффСктивно ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ нСисправности, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ находится Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ корпуса. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) β€” это ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ биполярных Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ², ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ здСсь происходит Π·Π° счСт элСктричСского поля, Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°: исток (Source), сток (Drain) ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Gate). ИмСнно Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ являСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС.

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ структуры транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком встроСн ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ часто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ body diode. Π•Π³ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ обусловлСно Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ производства ΠΈ являСтся Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ, Π° Π½Π΅ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ исправного ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° этом Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π² Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ. Если ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΈΡ‰ΠΈΡ‚ Π² ΠΎΠ±Π΅ стороны ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ»Ρ‡ΠΈΡ‚ Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… случаях β€” это Π²Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹.

ОсобоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ слСдуСт ΡƒΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ позволяСт Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ Π½Π°ΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ заряд, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π΅ динамичСской ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ. Заряд, ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠΈΠΉΡΡ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ послС снятия Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ², способСн ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… сСкунд ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚, Π² зависимости ΠΎΡ‚ качСства изоляции ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора. ПониманиС этого физичСского свойства критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π²ΠΎ врСмя диагностики.

  • πŸ”Œ Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ (Source) β€” Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ выходят носитСли заряда (Π² N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…) ΠΈΠ»ΠΈ входят (Π² P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…).
  • ⚑ Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ (Drain) β€” Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ носитСли заряда ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π».
  • πŸŽ›οΈ Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Gate) β€” ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод, ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ оксидным слоСм ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

ΠŸΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΊ диагностикС ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ бСзопасности

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ ΠΈ самым Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ шагом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎΠΌ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ являСтся ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ обСсточиваниС устройства. НаличиС остаточного напряТСния Π² кондСнсаторах ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΈΡΠΊΠ°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ показания ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Π½ΠΎ ΠΈ привСсти ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ самого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ· строя. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π΄Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ нСсколько ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Смкости. Волько послС этого ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΊ Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ осмотру ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ΠΊ измСрСниям.

Для провСдСния качСствСнной диагностики Π²Π°ΠΌ понадобится Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ с Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ². АналоговыС стрСлочныС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ рСкомСндуСтся, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ слишком высокий Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ напряТСниС, способноС ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ оксидный слой Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ антистатичСскиС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, хотя для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ выпаянных Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ риск мСньшС, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‚Ρ€Π°Ρ…ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Π½Π΅ ΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π³ΠΎΠ»Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π±Π΅Π· нСобходимости.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Никогда Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ измСрСния Π² цСпях ΠΏΠΎΠ΄ напряТСниСм. ΠŸΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ MOSFET ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмС Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡΠ³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ прСдохранитСля тСстСра ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя самого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°.

Если транзистор находится Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅, Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ искаТСны влияниСм сосСдних элСмСнтов. ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы, рСзисторы ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ измСряСмый участок. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ достовСрный Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°. Однако ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ мастСру часто удаСтся ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ явный ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΈ Π±Π΅Π· Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°, сравнивая показания с Π·Π°Π²Π΅Π΄ΠΎΠΌΠΎ исправными участками схСмы.

πŸ“Š Π‘Ρ‚Π°Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π»ΠΈ Π²Ρ‹ с Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ показаниями ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅?
Π”Π°, часто ΠΌΠ΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ сосСдниС элСмСнты
НСт, всСгда Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°ΡŽ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ
ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡŽ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ
Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽ спСциализированный тСстСр

БтатичСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ-Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ

НачинаСм ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ с самого простого ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ тСста β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ встроСнного Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ обозначаСтся символом Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°). Для N-канального транзистора ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ красный Ρ‰ΡƒΠΏ (плюс) ΠΊ истоку, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ (минус) ΠΊ стоку. На дисплСС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 0.4 Π΄ΠΎ 0.7 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ помСняйтС Ρ‰ΡƒΠΏΡ‹ мСстами: Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° исток, красный Π½Π° сток. Π’ этом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ (бСсконСчноС сопротивлСниС). Если Π²Ρ‹ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ показания ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈΠ·Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ сигнал Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… направлСниях, это ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ (ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ΅) ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Вакая Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ бСзусловной Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅.

Для P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ² мСняСтся Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ. ΠšΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ стоку, Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ β€” ΠΊ истоку для получСния прямого падСния напряТСния. Π’ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π².

  • πŸ“‰ ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния 0.4–0.7 Π’.
  • ♾️ ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (OL ΠΈΠ»ΠΈ 1).
  • πŸ”‡ Π—Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ сигнал Π² ΠΎΠ±Π΅ стороны ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзистора.

Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ показания исправного ΠΈ нСисправного N-канального транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²:

БостояниС ΠšΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ, Π§Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ ΠšΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ, Π§Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ Π”ΠΈΠ°Π³Π½ΠΎΠ·
Π˜ΡΠΏΡ€Π°Π²Π΅Π½ 0.4 – 0.7 Π’ OL (Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°) Норма
ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ (ΠšΠ—) 0.00 – 0.05 Π’ 0.00 – 0.05 Π’ Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π°
ΠžΠ±Ρ€Ρ‹Π² OL (Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°) OL (Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°) Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π°
Π£Ρ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° ΠΠ΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Ρ‹ НизкоС сопротивлСниС Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π°

ДинамичСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ°: ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°

БтатичСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ Π΄Π°Π΅Ρ‚ 100% Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ провСряСт ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Вранзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π΅. Для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π». Для N-канального MOSFET ΠΊΠΎΡΠ½ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠΌ истока, Π° красным β€” Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ дСйствиС зарядит Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока, ΠΈ транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ.

НС убирая Ρ‡Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰ΡƒΠΏΠ° с истока, пСрСмСститС красный Ρ‰ΡƒΠΏ Π½Π° сток. Если транзистор исправСн ΠΈ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ открылся, ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ сопротивлСниС (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π² нСсколько ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈ способСн ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ проводящий слой. Однако Π½Π° этом ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π½Π΅ заканчиваСтся.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. Для этого Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. ΠšΠΎΡΠ½ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (ΠΏΡ€ΠΈ этом красный Ρ‰ΡƒΠΏ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π° истокС), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ±Ρ€ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ заряд. ПослС разрядки ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком (красный Π½Π° стокС, Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° истокС). Канал Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ снова Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π² (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅, Ссли ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ соотвСтствуСт Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρƒ). Если ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π½Π΅ закрываСтся β€” транзистор нСисправСн.

β˜‘οΈ Алгоритм динамичСской ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 5

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов заряд Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ дСрТится ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎ. Если послС разрядки ΠΊΠ°Π½Π°Π» всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π΅ закрываСтся, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ сам оксидный слой Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΈ ΠΎΠ½ пропускаСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° сток. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ считаСтся условно ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для статичСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ², Π½ΠΎ Π² Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ΅ (Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… питания) Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов

Алгоритм ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… MOSFET Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ для открытия ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ шагом Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰ΡƒΠΏΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, Π° красного β€” ΠΊ истоку. Π­Ρ‚ΠΎ создаст Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» для открытия ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

ПослС открытия провСряСм ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком. Π§Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‰ΡƒΠΏ ставим Π½Π° сток, красный β€” Π½Π° исток. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС, ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Если показания ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ высокими, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·-истор Π½Π΅ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π² Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Для закрытия P-канального транзистора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ. ΠšΠΎΡΠ½ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ красным Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ снова ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком. Канал Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΈ сопротивлСниС возрасти Π΄ΠΎ бСсконСчности. ΠΠ°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этого Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ° Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠžΠΊΡΠΈΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ слой Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΊ ΠΈ пробиваСтся напряТСниСм всСго Π² 20-30 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π₯отя ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄Π°Π΅Ρ‚ мСньшС, статичСскоС элСктричСство с вашСго Ρ‚Π΅Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ для Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π°ΠΌΠΈ Π²ΠΎ врСмя ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π½Π΅ рСкомСндуСтся.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ нСисправности ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΈ

НаиболСС частой ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· строя ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком. Π­Ρ‚ΠΎ происходит ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ допустимого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ напряТСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°. Π’ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π³Π»ΡΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΌ, Π½ΠΎ "Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ" ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ. Π’ схСмах питания это часто ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠ³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ прСдохранитСля ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΊ.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ распространСнный Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π’ этом случаС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ элСктроды. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком (ΠΈΠ»ΠΈ истоком), хотя Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Ρ‚Π°ΠΌ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π². Вакая Π½Π΅ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ часто встрСчаСтся послС Π³Ρ€ΠΎΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… разрядов ΠΈΠ»ΠΈ скачков напряТСния Π² сСти.

Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ β€” потСря управляСмости, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор пСрСстаСт ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ слишком высоким, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. Π’Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ Π½Π΅ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ слоТнСС всСго, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ статичСская ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΡ€ΠΌΡƒ, Π° ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ грССтся исправный Π½Π° Π²ΠΈΠ΄ транзистор?

Если транзистор грССтся, Π½ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ звонится Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ρƒ Π½Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° (Rds). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ нСдостаточноС напряТСниС управлСния (Vgs) ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

Иногда встрСчаСтся ситуация, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор "ΠΏΠ»Ρ‹Π²Π΅Ρ‚". Показания ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ…Π°ΠΎΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ, Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Ρ‹ скачут. Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ кристалла ΠΈΠ»ΠΈ наличия ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‰ΠΈΠ½. Π­ΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ нСльзя, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΎΠ½ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅-Ρ‚ΠΎ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π· β€” вопрос Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ.

ЧастыС ошибки ΠΏΡ€ΠΈ диагностикС

Одной ΠΈΠ· Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… ошибок являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° транзистора Π±Π΅Π· разрядки Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Если Π²Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ провСряли ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΈ Π½Π΅ разрядили Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎ принято Π·Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ (Ссли Π·Π°Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ дСйствии) ΠΈΠ»ΠΈ, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π·Π° Π½ΠΎΡ€ΠΌΡƒ. ВсСгда Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ с ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания всСх Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой мСталличСским ΠΏΠΈΠ½Ρ†Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ошибка β€” использованиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° измСрСния сопротивлСния (ΠžΠΌΡ‹) вмСсто Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠžΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ нСдостаточноС напряТСниС для открытия p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΈ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ показания ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²Π°. Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ с символом Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

НС стоит ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ влияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π₯ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ транзистор ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π΅Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ вСсти сСбя ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ. Если Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ·Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΡƒ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π°ΠΊΠΊΡƒΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ³Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ (Ρ„Π΅Π½ΠΎΠΌ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, соблюдая ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ) ΠΈ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ, Π½Π΅ измСнятся Π»ΠΈ показания. Однако для ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ диагностики это излишнС.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΡƒ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π² сток с истоком ΠΈΠ»ΠΈ приняв P-ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π·Π° N-ΠΊΠ°Π½Π°Π», Π²Ρ‹ сдСлаСтС Π½Π΅Π²Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΠ± исправности Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ. ВсСгда ΡΠ²Π΅Ρ€ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с datasheet (тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ) Π½Π° ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ модСль, особСнно Ссли ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π½Π° корпусС ΡΡ‚Π΅Ρ€Π»Π°ΡΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ читаСтся.

Вопросы ΠΈ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Ρ‹

МоТно Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ MOSFET ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, Π½Π΅ выпаивая Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹?

ВСорСтичСски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ показания часто Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅Π²Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ·-Π·Π° влияния ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов схСмы (кондСнсаторов, рСзисторов, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… транзисторов). ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, показывая ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΌ, Π³Π΄Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅Ρ‚, ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ. Для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ диагностики ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Ρ‹ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ хотя Π±Ρ‹ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны.

Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π²ΠΎ всС стороны?

Π­Ρ‚ΠΎ явный ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ "Π±ΠΈΡ‚". Π‘ΠΊΠΎΡ€Π΅Π΅ всСго, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ΅Π» Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ, ΠΈ внутрСнняя структура Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠΈΠ»Π°ΡΡŒ, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ½ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π», Π½Π° Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΡΠΆΠ΅Ρ‡ΡŒ Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ транзистор звонится ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Π½ΠΎ устройство Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚?

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½Π° ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ (динамичСская Π½Π΅ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ). ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° стока ΠΈ истока β€” это лишь ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ тСст. НСобходимо ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ провСсти тСст Π½Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, ΠΊΠ°ΠΊ описано Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΏΡ€ΠΎ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ.

Какой ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΈΠΊΠΎΠ²?

ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ любой Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ с Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π–Π΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π» достаточно высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Π» ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ тСстовоС напряТСниС. Π”ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ с автоматичСским Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅, Π½ΠΎ для Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ исправности достаточно простой "Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΠ»ΠΊΠΈ".